Infineon bietet Low-Noise-Amplifier für GPS-Anwendungen mit niedrigster Rauschzahl seiner Klasse
München
Infineon bietet Low-Noise-Amplifier für GPS-Anwendungen mit niedrigster Rauschzahl seiner Klasse
Neubiberg und Tokyo, Japan – 22. Juli 2008 – Auf der Konferenzmesse Expo Comm Wireless Japan hat Infineon Technologies einen hoch empfindlichen Low-Noise-Amplifier (LNA) für GPS-Anwendungen angekündigt, der die hierfür niedrigste Rauschzahl seiner Klasse bietet. Die großen Herausforderungen im Wachstumsmarkt für mobile GPS-Anwendungen sind einerseits eine hohe Empfindlichkeit und andererseits weitgehende Immunität gegenüber Interferenzen durch die Mobilfunk-Signale zu bieten. Aus Sicherheitsgründen und für Notrufe verlangt der Gesetzgeber z.B. in den USA und in Japan, dass Mobiltelefone auch schwache GPS-Signale in Räumen oder in Tiefgaragen empfangen können. Mit dem neuen BGA715L7, einem hoch empfindlichen GPS-LNA mit sehr niedriger Rauschzahl und hoher Verstärkung, hilft Infineon diese Anforderungen zu erfüllen. Darüber hinaus sorgt der BGA715L7 mit einer sehr geringen Leistungsaufnahme von nur 5,94 mW und 1,8 V Versorgungsspannung im Betrieb für lange Batterielebensdauer.
Die GPS-Funktionalität wird in den nächsten Mobiltelefon-Generationen eine Standard-Funktion sein. Nach Einschätzung des Marktforschungsunternehmens IMS Research liegt bis 2011 die durchschnittliche Wachstumsrate in diesem Marktsegment bei 33,7 Prozent jährlich. Mindestens jedes dritte Mobiltelefon, das 2011 produziert wird, wird GPS unterstützen.
„Mit dem neuen BGA715L7 erweitert Infineon sein Spektrum an leistungsfähigen LNAs in kosteneffektiver SiGe:C-Technologie für GPS- und UMTS-Mobiltelefone sowie für mobile TV-, FM-Radio- und WLAN-Anwendungen“, sagte Michael Mauer, Senior Marketing Director, Discrete Semiconductors bei Infineon Technologies. „Mehr als 100 Millionen bisher ausgelieferter GPS-LNAs unterstreichen Infineons führende Position im GPS-Markt.“
Technische Merkmale des BGA715L7 im Überblick
Auf Basis von Infineons kosteneffektiver SiGe:C-Technologie bietet der BGA715L7 mit nur 0,6 dB die niedrigste Rauschzahl in seiner Klasse, was 0,2 dB besser als das nächstbeste Produkt in SiGe-Technologie ist. Die Stromaufnahme von nur 3 mA ist um etwa 20 Prozent geringer als bei vergleichbaren Bauelementen und resultiert in längerer Batterielebensdauer. Der weite Versorgungsspannungsbereich von 1,5 V bis 3,6 V und die digitale Steuerung von 1,0 V bis 3,6 V gewährleisten die Kompatibilität mit allen verfügbaren GPS-Chipsätzen. Gleichzeitig werden so Strom sparende Designs möglich. Der BGA715L7 weist eine hohe Verstärkung von 20 dB und eine ausgezeichnete Linearität (Eingangs-Kompressionspunkt von -12 dB bei 2,8 V) auf. Eine interne Bias-Schaltung sorgt für konstante elektrische Eigenschaften bei Schwankungen der Temperatur und der Versorgungsspannung. ESD-Schutz auf dem Chip bis 1 kV HBM vereinfacht die System-Implementierung zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und macht den Baustein sehr robust gegenüber ESD-Ereignissen bei der Bestückung. Der BGA715L7 benötigt nur drei externe passive Komponenten für kompakte und Platz sparende Designs.
Auf Basis von Infineons kosteneffektiver SiGe:C-Technologie bietet der BGA715L7 mit nur 0,6 dB die niedrigste Rauschzahl in seiner Klasse, was 0,2 dB besser als das nächstbeste Produkt in SiGe-Technologie ist. Die Stromaufnahme von nur 3 mA ist um etwa 20 Prozent geringer als bei vergleichbaren Bauelementen und resultiert in längerer Batterielebensdauer. Der weite Versorgungsspannungsbereich von 1,5 V bis 3,6 V und die digitale Steuerung von 1,0 V bis 3,6 V gewährleisten die Kompatibilität mit allen verfügbaren GPS-Chipsätzen. Gleichzeitig werden so Strom sparende Designs möglich. Der BGA715L7 weist eine hohe Verstärkung von 20 dB und eine ausgezeichnete Linearität (Eingangs-Kompressionspunkt von -12 dB bei 2,8 V) auf. Eine interne Bias-Schaltung sorgt für konstante elektrische Eigenschaften bei Schwankungen der Temperatur und der Versorgungsspannung. ESD-Schutz auf dem Chip bis 1 kV HBM vereinfacht die System-Implementierung zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und macht den Baustein sehr robust gegenüber ESD-Ereignissen bei der Bestückung. Der BGA715L7 benötigt nur drei externe passive Komponenten für kompakte und Platz sparende Designs.
Verfügbarkeit und Preise
Muster des BGA715L7 sind verfügbar, Serienfertigung beginnt ab September 2008. Infineon bietet außerdem Evaluierungskits zur Design-Unterstützung. Bei Bestellmengen von 10.000 Stück liegt der Stückpreis für den BGA715L7 bei etwa 0,50 US-Dollar. Der BGA715L7 wird in einem kleinen TSLP7-1-Gehäuse mit Abmessungen von 2 mm x 1,3 mm x 0,4 mm geliefert, das anschlusskompatibel zum Vorgängerprodukt BGA615L7 ist.
Muster des BGA715L7 sind verfügbar, Serienfertigung beginnt ab September 2008. Infineon bietet außerdem Evaluierungskits zur Design-Unterstützung. Bei Bestellmengen von 10.000 Stück liegt der Stückpreis für den BGA715L7 bei etwa 0,50 US-Dollar. Der BGA715L7 wird in einem kleinen TSLP7-1-Gehäuse mit Abmessungen von 2 mm x 1,3 mm x 0,4 mm geliefert, das anschlusskompatibel zum Vorgängerprodukt BGA615L7 ist.
Weitere Informationen zu den LNAs von Infineon und dem neuen BGA715L7 unter www.infineon.com/rfmmic
Über Infineon
Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 43.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 13.500 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2007 (Ende September) einen Umsatz von 7,7 Milliarden Euro (davon 3,6 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert.
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Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 43.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 13.500 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2007 (Ende September) einen Umsatz von 7,7 Milliarden Euro (davon 3,6 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert.
